Si&InGaAs, PIN&APD, Lungime de undă: 400-1100nm, 900-1700nm. (Potrivit pentru măsurarea laserului, măsurarea vitezei, măsurarea unghiului, detectarea fotoelectrică și sistemele de contramăsuri fotoelectrice.)
Gama spectrală a materialului InGaAs este de 900-1700 nm, iar zgomotul de multiplicare este mai mic decât cel al materialului germaniu. Este utilizat în general ca regiune de multiplicare pentru diodele heterostructură. Materialul este potrivit pentru comunicații cu fibră optică de mare viteză, iar produsele comerciale au atins viteze de 10 Gbit/s sau mai mari.